当前位置:首页> 新闻中心

新闻中心

真空镀膜:CVD法生产碳化硅膜

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-06-12 0:59:52 * 浏览: 9
该设备的原理图如图10-30所示。采用高频加热,温度可达1300℃-1800℃,膜生长速度为0.2mu.m / min〜1.0mu.m / min。