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真空镀膜:CVD法制作碳化硅膜

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-09-23 1:40:23 * 浏览: 0
该设备的原理图如图10-30所示。采用高频加热,温度可达到1300℃-1800℃,膜生长速度为0.2mu.m / min〜1.0mu.m / min。