物理生产：真空蒸发沉积

真空蒸发是用于制造纳米半导体薄膜的一般物理方法。该方法通常将真空室的极限真空度提高到10-2Pa以上，然后使用加热方法将蒸发的物质蒸发并将其沉积在光滑的基板上以获得相应的纳米半导体膜。真空蒸镀具有材料纯度高，结晶度高，粒径可控的特点，但技术条件高。目前，很少使用直接加热电阻加热蒸发源。加热方法的不断改进是近年来真空蒸发技术发展和改进的主要标志。主要蒸发源为：电阻加热蒸发源，高频感应加热蒸发源，辐射加热蒸发源，离子束加热蒸发源等。其中离子束加热蒸发源更具代表性。用离子束轰击一部分薄膜材料并加热的方法具有以下优点：能量可以高度集中，使薄膜材料的局部表面可以达到高温，可以准确方便地进行控制。蒸发温度高，温度调节范围大。电阻加热蒸发源不具有这种特性。最近，RaoulWeil等人。利用真空蒸发技术制备了具有光学性质（即具有较大的非线性光学特性）的ZnCdTe化合物纳米薄膜。